Field Effect Transistor

• 2S2225-E

  • Elevata tensione di rottura (VDSS=1500 V) • Commutazione ad alta velocità • Bassa corrente di

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• IRFP4668

  VantaggiRobustezza migliorata di Gate, Avalanche e Dynamic dV/dtCapacità completamente

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• VIPER12A

  Il VIPer12A combina un controller PWM dedicato alla modalità di corrente con un MOSFET di potenza

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• IRFHS9351TRPBF

  Perdite di conduzione inferiori Consentono una migliore dissipazione termica Maggiore densità di

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• IRLML0030TRPBF

  Minore perdita di commutazione Compatibilità multi-vendor Produzione più semplice Rispettoso

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• Transistor ad effetto di campo 2N7002ET1G

  Il 2N7002ET1G è un MOSFET per piccoli segnali del tipo a transistor ad effetto di campo a canale N,

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• Transistor LDMOS di potenza RF MRFE6VP5300N

  MRFE6VP5300N è un MOSFET laterale a banda larga con transistor LDMOS di potenza RF a N--canali

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• MOSFET di potenza MOSFET di potenza

  STR2P3LLH6 è un transistor a effetto di campo MOSFET di potenza a canale P. Questo dispositivo è

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• ISL9V3040S3ST

  L'ISL9V3040S3ST è un IGBT di accensione a canale N EcoSPARKŠ da 300 mJ, 400 V ed è anche un MOSFET

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• IRF4905PBF

  Il transistor MOSFET IRF4905PBF è un componente elettronico altamente efficiente con una resistenza

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• IRF3205STRLPBF

  L'IRF3205STRLPBF è un potente transistor MOSFET dotato di tecnologia di processo avanzata,

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• SVF4N60DTR

  L'SVF4N60DTR è un eccezionale transistor ad effetto di campo potenziato a canale N che vanta

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