MOSFET G3R160MT17J

Il G3R160MT17J è un MOSFET SiC all'avanguardia con una tensione nominale massima di 1700 V e una bassa resistenza nello stato attivo di 160 mOhm. La sua tecnologia avanzata G3RTM consente un azionamento del gate +15V, con conseguenti prestazioni di commutazione eccellenti e perdite di commutazione ridotte.

Questo dispositivo vanta una bassa capacità (Coss, CRss) che migliora notevolmente l'efficienza nelle applicazioni ad alta frequenza. Inoltre, offre un indice costo-prestazioni superiore, il che significa che offre un valore eccezionale per il suo prezzo.

Il G3R160MT17J include un robusto diodo corporeo che presenta una bassa tensione di recupero inverso (Ve) e una bassa carica di recupero inverso (QR). Ciò garantisce affidabilità in applicazioni impegnative e consente basse perdite di commutazione.

Per ottimizzare ulteriormente le prestazioni del G3R160MT17J, è stato dotato di un pin sorgente driver separato. Ciò consente una facile integrazione in vari sistemi e garantisce un controllo preciso ed efficiente.