●Advanced Process Technology
●Ultra Low On-Resistance
●Dynamic dv/dt Rating
●175 degree Operating Temperature
●Fast Switching
●Fully Avalanche Rated
●Lead-Free
Descrizione
Advanced HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
Il pacchetto TO-220 è universalmente preferito per tutte le applicazioni commerciali-industriali con livelli di dissipazione di potenza fino a circa 50 watt. La bassa resistenza termica e il basso costo del pacchetto del TO-220 contribuiscono alla sua ampia accettazione in tutto il settore.
Etichetta sexy: irf540npbf, Cina, fornitori, produttori, commercio all'ingrosso, in stock
