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Gli HEXFET di quinta generazione di International Rectifier utilizzano tecniche di elaborazione avanzate per ottenere questo vantaggio estremamente basso di resistenza allo stato attivo per area di silicio combinato con la velocità di commutazione rapida e il design del dispositivo robusto per cui i PowerMOSFET HEXFET sono ben noti, fornisce al progettista un dispositivo estremamente efficiente e affidabile per l'uso in un'ampia varietà di applicazioni.