6ED003L06-F2

I dispositivi sono driver full bridge per il controllo di dispositivi di potenza come MOSFET o IGBT in 3-sistemi di fase con una tensione di blocco massima di più 600 V. Sulla base della tecnologia SOI utilizzata, si ottiene un'eccellente robustezza sulle tensioni transitorie. Nel dispositivo non sono presenti strutture tiristori parassite. Pertanto, non può verificarsi alcun latch-up parassita a tutte le temperature e condizioni di tensione.