AUIRLS3034-7P

Specificamente progettato per applicazioni automobilistiche, questo MOSFET di potenza HEXFET utilizza le più recenti tecniche di elaborazione per ottenere una resistenza on per area di silicio estremamente bassa. Ulteriori caratteristiche di questo design sono una temperatura operativa di giunzione di 175 gradi, una rapida velocità di commutazione e una migliore valutazione delle valanghe ripetitive.